型号:NTMS4916NR2G | 类别:FET - 单 | 制造商:ON Semiconductor |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8 FL |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8 FL |
系列 | - |
制造商 | ON Semiconductor |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 7.8A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 9 毫欧 @ 12A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 15nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1376pF @ 25V |
功率_最大 | 890mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
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